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Technologies개요

Technologies

Optical Thin Film
Optical Coating
Band Pass Filter
1. 기판 일반 사양
기판 : 실리콘 / 게르마늄 / 사파이어 / 유리 등.
직경 : ~8인치
두께 : 0.55±0.05mm




2. 내구성 테스트 방법
기판 : 실리콘 / 게르마늄 / 사파이어 / 유리 등.
직경 : ~8인치
두께 : 0.55±0.05mm




3. 광학 코팅 사양





4. CWL(중심 파장 길이, λ0)
λ1 및 λ2는 대역 통과 필터 피크 투과율의 50%에서 파장입니다.








5. FWHM(최대 절반의 전폭)
대역 통과 필터의 대역폭






6. Tpeak (피크 투과율)
대역 통과 필터 내 최대 투과율




7. 대역 외 차단
밴드 패스 외부의 총 에너지에 대한 에너지의 양입니다.
일반적으로 signal 대 noise 비라고 부르거나 일반적으로 광학 밀도(OD)로 표현됩니다.





8. 밴드 패스 모양
밴드 패스 모양은 필터의 공동 수에 따라 정의됩니다. 공동 수가 많을수록 공동 수는 CWL, FWHM, 투과율 및 차단에 대한 고객의 요구 사항에 따라 정의됩니다.






Long Wave Pass Filter
1. 기판 일반 사양
기판 : 실리콘 / 게르마늄 / 사파이어 / 유리 등.
직경 : ~8인치
두께 : 0.55±0.05mm




2. 내구성 테스트 방법
습도 : MIL-C-48797A 4.5.3.2
적당한 마모 : MIL-C-48497A 4.5.3.3
접착력 : MIL-C-48497A 4.5.3.1




3. Tavg (Average Transmittance)
λ1에서 λ2로의 투과율 평균 50%



4. λc (Cut on or Cut off Wavelength)
에지 필터가 전송하기 시작(또는 종료)하는 파장입니다.



5. S% (Slope of Filter in Percent)








Angle and Temperature shift 
1. 각도에 따른 파장 이동
박막 간섭 필터는 입사각에 따라 변합니다. 다음 방정식을 사용하여 특정 입사각에서의 파장을 정의할 수 있습니다.








2. 온도에 따른 파장 이동
중심 파장은 온도가 증가함에 따라 더 긴 파장으로 이동합니다.







 
Long Wave

Pass Filter

1. Substrate General Specification
SPO Technology : Pulsed DC magnetron sputtering 과  Ion beam assisted deposition 공정을 활용하여 metal sputtering 영역과 reactive 영역을 나누어 박막의 조성비와 두께를 정밀하게 제어하고 Target에 양이온 축적을 방지해서 Target에 Arc가 생기지 않기 때문에 제품 표면에 Defect이 없는 정밀 박막 증착 기술을 보유하고 있습니다.




2. 제품 응용분야
높은 피크 전송, 넓은 스펙트럼 범위에 걸친 심층 차단, 정확한 에지 배치, 하드 유전체 코팅/에폭시 없는 광 경로.




3. 제품 응용분야
  SPO의 반응형 스퍼터링 기술
광학특성 생산성이 높은 반응형 스퍼터링 공정
입자와 흡수가 없는 광학 박막
저온 "하드 코팅"
높은 지수와 안정적인 스퍼터링 시스템
Multichannel

Band Pass Filter

1. Multichannel Band Pass Filter 기술
다중 스펙트럼 이미징은 필터는 반도체 공정과 광학코팅 공정을 이용해서 한 개의 기판에 여러 스펙트럼을 재현할 수 있는 광학박막 필터 제조 기술이다. 반도체 공정을 응용하기 때문에 작은 사이즈의 패턴도 구현 가능하고 원하는 파장의 광학필터를 한 기판위에 자유롭게 구현 할 수 있는 제작 방식이다. 




2. 제품 응용분야
다중 카메라에 이용되며 항공우주, 생물의학, 식품공업에 이용된다.




3. 제조 공정 및 특성 

                                                                <Multichannel Band Pass Filter 공정>


  


 
Atomic Layer

Deposition

for Meta optics

1. Atomic Layer Deposition 기술
ALD(Atomic Layer Deposition) 기술은 박막을  매우 정밀하게 Coating 할 수 있는 기술이다. 나노미터 단위의 박막 형성이 필요한 미세 공정에 최적의 구조를 가지고 있어서 3차원 구조의 표면을 균일하게 덮을 수 있고 복잡한 나노 구조에서도 고르게 박막을 형성할 수 있다. 이러한 특성은 복잡한 3D 구조나 Meta Lens 등에 최적의 박막을 안정적으로 구현할 수 있다. 




2. 제품 응용분야
홀로그래피,  스마트폰 카메라, 의료기 영상, 자율주행, 우주 항공




3. 제조 공정 및 특성    

 

 
특징 ALD PVD
성장방식 단계별로 성장 연속적 성장
성장속도 주기마다 정확한 성장률 가변적 성장
두께제어 사이클 수를 조절하여 정밀두께 조절 시간과 성장률을 곱해 두께 제어
증착 구조 Metal Lens 3D구조에 최적 Flat 기판에 최적



                                                 



                                                                               

 
증착 기술
Property CVD MBE ALD PLD Evaporate Sputtering
증착 속도 Good Fair Poor Good Good Good
필름 밀도  Good Good Good Good Fair Good
핀홀 부족 Good Good Good Fair Fair Fair
두께 균일성 Good Fair Good Fair Fair Good
날카로운 도펀트 프로파일 Fair Good Good Varies Good Poor
단계 적용 범위 Varies Poor Good Poor Poor Poor
날카로운 인터페이스 Fair Good Good Varies Good Poor
낮은 기판 온도 Varies Good Good Good Good Good
부드러운 인터페이스 Varies Good Good Varies Good Varies
플라즈마 손상 없음 Varies Good Good Fair Good Poor

                                                                           
Thin film Getter for IR Sensor
1. Getter Pump
박막형 Getter는 Sputter 증착 방식을 통해 얇은 필름 형태로 제작되며 MEMS 공정과 응용을 통해 작은 Size 의 Lid에도 자유롭게 적용이 가능하다. 또한 높은 표면적과 여러가지 Material 적용이 가능하기 때문에 낮은 온도에서도 빠른 흡착속도와 효율을 낼 수 있어 진공환경을 효과적으로 유지하는데 사용된다.




2. 제품 응용분야
마이크로 볼로메타, 열화상 카메라 , 우주항공 등




3. Sputter 제조 공정 및 특성    
Covered by Getter film Porous film
 
Ti Film Zr Film




4. Activation

 
Method Material Activeation Temperature Gas
Zr alloy Zr-Ti allys 350 ~ 400°С H2
Zr alloys 200°С for Hydrogen N2, H2
Muiti layer Cr / Ti / Zr < 350 °С H2
List
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